Samsung · Armazenamento (NVMe) · 2018-04
Último topo de linha MLC; sem queda pós-cache.
49º lugar geral entre 90 modelos (armazenamento · NVMe).
| Interface | pcie3 |
|---|---|
| Capacidade | 1000GB |
| NAND | V-NAND MLC |
| DRAM | Sim |
| Leitura/gravação sequencial | 3500 / 2700 MB/s |
| Leitura aleatória 4K | 500000 |
| Gravação pós-cache | 2700 MB/s |
| TBW | 1200 |